大规模超导纳米线单光子探测器(SNSPD)阵列在成像和光谱学领域具有重要的应用。然而由于超导器件的低温下工作的特性，大阵列的高效读出一直是阵列规模发展的瓶颈。超导纳米线单光子成像仪(SNSPI)采用时间复用方法有效地降低了读出复杂度和低温功耗。但是由于是串行连接，为使所有纳米线都达到最大的检测效率，高度均匀的几何结构和超导性的纳米线必需的。所以随着阵列规模的扩大 (即纳米线的长度的增加)，大面积均匀器件的制备就变得非常具有挑战性。
在本文中，我们演示了一种基于非晶Mo80Si20薄膜的64像元SNSPI，它提供了270 μm × 240 μm的成像视场。得益于Mo80Si20薄膜的高动态电感，延迟线的相速度低至4.6 m/ps。通过优化探测器和延迟线的微波和几何设计，使用低温放大器可以读出所有像素的位置，而像素间的电串扰可以忽略不计(0.02%)。时间抖动为100.8 ps，在1550 nm波长处观察到饱和的内部量子效率。这些结果表明，非晶薄膜是实现大面积、高可扩展性SNSPI的一个非常具有吸引力的候选材料。
论文链接：https://doi.org/10.1364/OL.461915